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      器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,柵極電荷為52 nC,輸出電荷為68 nC均達到同類產品最佳水平

      2019年2月21日,日前Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率,導通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產品最低水平。

      

    Vishay推出高性能60 V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

      日前發布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1.7 mW,柵極電荷僅為52 nC,輸出電荷為68 nC,COSS為992 pF。在功率轉換應用中,這款MOSFET的柵極電荷與導通電阻乘積和輸出電荷與導通電阻乘積優值系數 (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

      SiR626DP改進了技術規格,經過調校最大限度降低導通和開關損耗。器件提高了AC/DC拓撲結構同步整流,隔離式DC/DC拓撲結構原邊和副邊開關效率,適用于太陽能微型逆變器和通信、服務器、醫療設備電源、電動工具和工業設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

      MOSFET經過100% RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

      SiR626DP現可提供樣品并已實現量產。產品供貨周期為30周,視市場情況而定。

    地址:柜臺地址:河北省石家莊市新華電子城2樓155號

    電話:0311-86271675

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